日前，三星电子发布，其全球首家批量生产20纳米级（1纳米=10亿分之一米）工艺的4Gb LPDDR2（Low Power Double Data Rate 2）DRAM，旨在全面扩大其4Gb DRAM市场。

    据了解，20纳米级4Gb DRAM产品群，不仅能够提供全球最为“超薄”、“大容量”、“高性能”的手机解决方案，而且其最小的芯片尺寸，可实现超薄设计。因此，该产品成为了创新企业及手机生产厂商推出的下一代系统时确保其优势的核心要素。新一代20纳米级4Gb移动DRAM四颗粒堆叠封装组成的16Gb（2GB）产品相比30纳米4Gb DRAM四颗粒堆叠封装产品，其厚度更薄了

    20%，最高速度可达1,066Mbps，并保持相同的电耗。因此，该产品的推出将加快4Gb存储市场的发展。

    三星电子2011年3月开始批量生产了30纳米级4Gb LPDDR2存储器，使得手机存储器的容量扩大到2GB。此次业界首家批量生产最小尺寸20纳米级4Gb LPDDR2，并为下一代超薄移动设备提供超薄型0.8mm 2GB LPDDR2。三星电子存储器事业部战略营销部洪完勋副社长表示，“2011年三星电子凭借业界首家批量生产30纳米级4Gb DRAM，扩大了4Gb DRAM市场份额。2012年，则通过20纳米级4Gb的批量生产，有望实现进一步差异化高端存储器市场目标。